2025屆國網(wǎng)招聘考試電工類本科單科模擬-電力電子（2）

1、本卷為單科專業(yè)課模擬試卷，相比全科模擬卷，缺少30個題的綜合能力及10個題的資料分析。
2、本卷嚴格按照考試大綱和國網(wǎng)考試題型及數(shù)量設(shè)置，共設(shè)：專業(yè)單選題70題、專業(yè)多選題25題和專業(yè)判斷題30題。測試時間建議不超過2小時。
3、試卷目的是為夯實基礎(chǔ)、查漏補缺，一套試卷不可能囊括所有的知識點，無論作答分數(shù)高低，勝不驕敗不餒，再接再厲。
4、由于水平有限，題目或者答案難免有不嚴謹或者不正確之處，歡迎大家批評指正。
5、本卷解釋權(quán)歸博冠電力培訓所有，如有疑問，請聯(lián)系17331221827。
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一、單選:（共70題，其中1-60每題0.5分，61-70，每題1分，共40分）
1．可控整流是一種（）變換。
2．交流調(diào)壓是一種（）變換。
3．逆變是一種（）變換。
4．GTO的額定電流為（）。
5．電力電子技術(shù)的誕生是以（）的誕生為標志的。
6．普通晶閘管屬于（）型器件。
7．電力電子器件往往處于（）狀態(tài)。
8．當電力電子器件開關(guān)頻率較高時，（）損耗成為主要因素。
9．（）電路是電力電子系統(tǒng)實現(xiàn)電能變換的核心。
10．電力二極管屬于（）器件。
11．IGBT屬于（）型器件。
12．下列器件中（）屬于電流驅(qū)動型器件
13．下列器件中，（）屬于電壓驅(qū)動型器件。
14．下列器件中，（）屬于單極型器件。
15．電力二極管內(nèi)部有（）PN結(jié)。
16．反向擊穿發(fā)生時，首先發(fā)生（）擊穿。
17．PN結(jié)的電容效應(yīng)影響電路的（）。
18．電力二極管的額定電流是最大工頻正弦半波電流的（）。
19．電力二極管的反向重復峰值電壓通常是雪崩電壓的（）。
20．下列（）二極管的開關(guān)速度快（開關(guān)頻率高）。
21．影響電力二極管開關(guān)速度的時間是（）。
22．晶閘管內(nèi)有（）個PN結(jié)。
23．晶閘管是（）層半導體的結(jié)構(gòu)。
24．晶閘管可以看做是（）的復合結(jié)構(gòu)。
25．晶閘管的開通過程是一個（）的過程。
26．型號為KS100-8的元件表示雙向晶閘管，它的額定電壓為（）伏。
27．晶閘管導通后，等效的兩只三極管均處在（）狀態(tài)。
28．（）手段可以應(yīng)用于高壓電力設(shè)備的控制。
29．單相半控橋整流電路帶大電感負載，為了避免出現(xiàn)一只晶閘管一直導通，另兩只整流二極管交替換相導通的失控現(xiàn)象發(fā)生，采取的措施是在負載兩端并聯(lián)一個（）。
30．當晶閘管門極電流為零時，在器件兩端施加正向電壓，則晶閘管處于（）。
31．晶閘管正向?qū)ê?，其管壓降大概在（）左右?/legend>
32．晶閘管開通過程中，其上升時間是指陽極電流從（）上升至穩(wěn)態(tài)值的（ ）所用時間。
33．下列對晶閘管特性的敘述中，正確的是（）。
34．若要增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（）。
35．三相全控整流橋電路，如采用雙窄脈沖觸發(fā)晶閘管時，下圖中（）的雙窄脈沖間距相隔角度符合要求。
36．變流裝置的功率因數(shù)總是（）。
37．變流器工作在逆變狀態(tài)時，控制角α必須在（）范圍內(nèi)。
38．三相半波可控整流電阻性負載電路，如果三個晶閘管采用同一相觸發(fā)脈沖，α的移相范圍是（）。
39．三相全控橋式整流電路帶電阻負載，當觸發(fā)角α=0°時，輸出的負載電壓平均值為（）U2。
40．電力晶體管（GTR）的電流放大系數(shù)β比小功率晶體管（）。
41．由于二次擊穿現(xiàn)象對GTR的危害極大，因此規(guī)定了GTR的安全工作區(qū)，此安全工作區(qū)由（）曲線構(gòu)成。
42．三相橋式全控整流電路，同一相上下兩個橋臂的晶閘管觸發(fā)脈沖相位相差（）。
43．三相橋式全控整流電路，上橋臂組或下橋臂組中相鄰晶閘管的觸發(fā)脈沖相位相差（）。
44．不適用于無源逆變的換流方式有（）。
45．交流調(diào)功電路采用（）控制方式。
46．交流調(diào)壓電路采用（）控制方式。
47．高壓直流輸電的受端換流站屬于（）電能變換方式。
48．變壓器漏感對整流電路的影響有（）。
49．PWM逆變電路多重化的目的不正確的有（）。
50．三相電壓型橋式逆變電路采用180°導電方式，各相開始導通的角度依次相差（）。
51．單相橋式全控整流電路帶電阻負載中，晶閘管承受最大正壓是（）U2。
52．斷態(tài)重復峰值電壓是斷態(tài)不重復峰值電壓（斷態(tài)最大的瞬時電壓）的（）。
53．逆導晶閘管是將普通晶閘管（）二極管。
54．雙向晶閘管通常用（）來表示其額定電流值。
55．圖示電路為（）電路。
56．圖示電路為（）電路。
57．圖示電路為（）電路。
58．GTO是一種多元的功率集成器件，這些GTO元的陰極和門極在器件內(nèi)部是（）在一起。
59．晶閘管由于電路異常，使結(jié)溫超過額定值的不重復性最大正向過載電流是（）。
60．在電力MOSFET中，主要是（）為最好。
61．電力MOSFET導通與截止的條件是（）。
62．電力MOSFET屬于（）器件，其輸入阻抗（ ）。
63．在晶閘管串聯(lián)電路中，實現(xiàn)靜態(tài)均壓的主要元件是（）。
64．IGBT的開通與關(guān)斷是（）和（ ）之間電壓確定的。
65．IGBT開關(guān)速度（）、開關(guān)損耗（ ）。
66．引發(fā)IGBT靜態(tài)擎住效應(yīng)的原因是（）。
67．下列電力電子器件中，（）驅(qū)動功率較小。
68．晶閘管在關(guān)斷過程中，在（）重新施加正向電壓會重新導通。
69．在下列哪個電路中采用晶閘管時，需要加入強迫關(guān)斷電路（）。
70．IGBT的通態(tài)壓降在（）區(qū)段具有負溫度系數(shù)，在（ ）區(qū)段具有正溫度系數(shù)。
二、多選（共25題，每題1分，共25分）
71．電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)的應(yīng)用有（）。
72．電力電子器件的特征包括（）。
73．電力電子器件自身的損耗包括（）。
74．為了減小變流電路的開關(guān)損耗，通常讓元件工作在軟開關(guān)狀態(tài)，軟開關(guān)電路可分為（）與（ ）兩大類。
75．下面那些器件屬于全控型器件（）。
76．以下電力電子器件中，屬于電壓驅(qū)動型器件的有（）。
77．PWM逆變電路的控制方法有（）
78．電力二極管的電擊穿包括（）。
79．電力二極管反向截止的時間包括（）。
80．晶閘管正常工作狀態(tài)包括（）。
81．晶閘管除門極觸發(fā)導通之外，還有（）導通情況。
82．晶閘管正常工作的表述有（）。
83．晶閘管具有以下幾種工作狀態(tài)（）。
84．晶閘管的關(guān)斷時間包括（）。
85．晶閘管的電流主要參數(shù)包括（）。
86．門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的主要參數(shù)有（）。
87．GTR在共發(fā)射極接法的典型輸出特性分為（）。
88．GTR的主要極限參數(shù)包括（）。
89．電力MOSFET漏極伏安特性曲線包含（）區(qū)。
90．MCT是（）復合的器件。
91．IGCT是（）復合的器件。
92．SITH是（）復合的器件。
93．目前常用的具有自關(guān)斷能力的電力電子元件有（）。
94．在下面幾種電力電子器件中，存在電導調(diào)制效應(yīng)的是（）。
95．電力 MOSFET的優(yōu)點有（）。
三、判斷題（共30題，每題0.5分，共15分）
96．在帶有大電感負載且觸發(fā)角相同的情況下，單相全控橋電路負載電流連續(xù)而單相半控橋負載電流不連續(xù)。
97．可控整流是一種將直流電變?yōu)榻涣麟姷淖儞Q。
98．在帶有大電感負載且觸發(fā)角相同的情況下，單相全控橋電路輸出電壓平均值低于單相半控橋電路。
99．交流電力控制電路是一種AC-AC變換。
100．SCR的開關(guān)時間比GTO的長，而GTR的開關(guān)時間，比GTO要短。
101．在帶有大電感負載且觸發(fā)角相同的情況下，單相全控橋電路與單相半控橋電路都會存在失控現(xiàn)象。
102．在帶有大電感負載且觸發(fā)角相同的情況下，單相全控橋的功率因數(shù)低于單相半控橋。
103．電力電子器件工作時處于開關(guān)狀態(tài)。
104．Boost DC-DC變換器在連續(xù)工作狀態(tài)下，輸入電流是連續(xù)的。
105．控制電路是電力電子系統(tǒng)實現(xiàn)電能變換的核心。
106．全控型器件屬于既能控制正向?qū)ㄓ帜芸刂品聪驅(qū)ǖ钠骷?/legend>
107．肖特基二極管屬于雙極型電力電子器件。
108．超快速恢復二極管在電力二極管應(yīng)用中其開關(guān)速度最快。
109．一般情況下，當晶閘管承受反向電壓時，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管均不導通。
110．觸發(fā)普通晶閘管的觸發(fā)脈沖，也能觸發(fā)可關(guān)斷晶閘管。
111．電力晶體管的外部電極是：集電極、基極和發(fā)射極。
112．電力電子裝置在小功率場合（10kW以下）采用IGBT為主。
113．實際使用電力晶體管時，必須要有電壓電流緩沖保護措施。
114．雙向晶閘管額定電流的定義，與普通晶閘管的定義相同。
115．大功率電力晶體管的放大倍數(shù)β都比較低。
116．絕緣柵雙極型晶體管具有電力場效應(yīng)晶體管和電力晶體管的優(yōu)點。
117．晶閘管并聯(lián)使用時，必須注意均壓問題。
118．電力場效應(yīng)晶體管屬于電流型控制元件。
119．使用大功率晶體管時，必須要注意“二次擊穿”問題。
120．同一支可關(guān)斷晶閘管的門極開通電流和關(guān)斷電流是一樣大的。
121．SCR和GTO的控制信號為電平信號。
122．電壓驅(qū)動型器件和部分電流驅(qū)動型器件的控制信號都是電平信號。
123．雙極型器件存在電導調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降小，導通損耗小。
124．單極型器件和復合型器件都是電壓驅(qū)動型。
125．Boost DC--DC變換器又稱為降壓斬波器。
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